硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,公開了光子集成芯片的新型測(cè)試系統(tǒng)及方法,包括測(cè)試設(shè)備和集成芯片放置設(shè)備,測(cè)試設(shè)備包括電耦合測(cè)試設(shè)備和光耦合測(cè)試設(shè)備中的一種或兩種,電耦合測(cè)試設(shè)備和光耦合測(cè)試設(shè)備可拆卸安裝在集成芯片放置機(jī)構(gòu)四周,電耦合測(cè)試設(shè)備包括單探針耦合模塊和探針卡耦合模塊,光耦合測(cè)試設(shè)備包括陣列光纖耦合模塊和光纖耦合模塊;該通過改進(jìn)結(jié)構(gòu),形成電耦合測(cè)試機(jī)構(gòu)和光耦合測(cè)試設(shè)備,通過搭配組裝可靈活對(duì)待測(cè)試集成芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試和電耦合測(cè)試,安裝方便快捷,成本低。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：使用大規(guī)模集成性。青海硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì)，通過光矩陣的光路切換，每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測(cè)試環(huán)路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個(gè)設(shè)備，調(diào)光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測(cè)試過程使用可調(diào)激光器，以掃描特定功率及特定波長(zhǎng)，激光器出光后連接偏振控制器輸入端，以得到特定偏振態(tài)下光信號(hào)；偏振控制器輸出端接入1個(gè)N*1路光開光；切光過程通過輸入端光矩陣，包含N個(gè)2*1光開關(guān)，以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣，包含N個(gè)2*1路光開關(guān)，用于切換輸出到多通道光功率計(jì)或者PD光電二極管，分別對(duì)應(yīng)測(cè)試過程與耦合過程。青海光子晶體硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：操作方便。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務(wù)器為完成設(shè)備控制及自動(dòng)測(cè)試應(yīng)包含有自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序，可以使用于根據(jù)測(cè)試站請(qǐng)求信息分配測(cè)試設(shè)備，并自動(dòng)切換光矩陣進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。服務(wù)器連接N個(gè)測(cè)試站、測(cè)試設(shè)備、光矩陣。其中N個(gè)測(cè)試站連接由于非占用式特性采用網(wǎng)口連接方式；測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì)，物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口；光矩陣連接采取串口。自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序包含三個(gè)功能模塊：多工位搶占式通信、設(shè)備自動(dòng)測(cè)試、測(cè)試指標(biāo)運(yùn)算；設(shè)備自動(dòng)測(cè)試過程又包含如下三類：偏振態(tài)校準(zhǔn)、存光及指標(biāo)測(cè)試。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種應(yīng)用雙波長(zhǎng)的微波光子頻率測(cè)量設(shè)備,以及一種微波光子頻率測(cè)量設(shè)備的校正方法和基于此設(shè)備的微波頻率測(cè)量方法。在微波光子頻率測(cè)量設(shè)備中,本發(fā)明采用獨(dú)特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結(jié)構(gòu),可以形成兩個(gè)不同深度的透射譜線。該系統(tǒng)采用一定的校準(zhǔn)方法,預(yù)先得到微波頻率和兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值的函數(shù),測(cè)量過程中,得到兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個(gè)光學(xué)器件集成在硅基光學(xué)芯片上,從整體上減小了設(shè)備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：體積小。

我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級(jí)方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,一個(gè)基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時(shí)還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實(shí)驗(yàn)中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對(duì)一個(gè)基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對(duì)利用側(cè)向外延生長(zhǎng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯(cuò)在外延生長(zhǎng)中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺(tái)對(duì)于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。波導(dǎo)的傳輸性能好，因?yàn)楣韫獠牧系慕麕挾雀?，折射率更高，傳輸更快。云南單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：反應(yīng)速度快。青海硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

此在確認(rèn)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合不過的前提下，可依次排除B殼天線、KB板和同軸線等內(nèi)部結(jié)構(gòu)的故障進(jìn)行維修。若以上一一排除，則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問題，或者說是主板硬件存在故障。耦合天線的種類比較多，有塔式、平板式、套筒式，常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱，來提高耦合直通率。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的，我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性，硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”，“易掉話”，“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”，“不能接聽”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異，所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例。青海硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家